'끝없는 초격차' 삼성전자, 세계 첫 3세대 10나노급 D램 개발

2세대 D램 양산 16개월만에 역대 최고 미세공정 한계 극복
생산성 20% 향상, 전력효율 개선.. 사업경쟁력 강화… 하반기 양산

삼성전자가 또 한번 반도체 미세공정 한계를 넘어서며 끝없는 초격차 사업경쟁력을 확보했다. 삼성전자는 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램'을 개발했다고 21일 밝혔다. 앞서 지난 2017년 11월 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한 지 16개월 만이다.

삼성전자는 이번 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 역대 최고 미세공정 한계를 또 한번 극복했다.

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시킨 점이 특징이다. 또 속도 증가로 전력효율도 개선됐다.

삼성전자는 이번에 제품 개발에 성공한 선진 공정 기술로 생산성을 높여 최근 시황 약세에서도 수익성을 확보하게 된다. 3세대 10나노급(1z) 공정은 반도체의 단위 면적당 용량을 향상시켜 생산성을 더 높일 수 있다. 이에 따라 공정 효율성이 증대돼 제품 가격이 하락하더라도 수익을 늘릴 수 있는 강점을 갖게 된다.

삼성전자 관계자는 "3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다"면서 "글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다"고 설명했다.

삼성전자는 올 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산할 예정이다. 내년엔 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단공정 기반의 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

3세대 10나노급(1z) 공정을 차세대 D램에 적용하면 현재 제품보다 성능 향상은 물론 전력효율과 생산성 개선으로 시장 경쟁력을 강화할 수 있다는 게 회사 측의 설명이다. 차세대 메모리 반도체 시장에서도 초격차 사업 경쟁력을 확보하겠다는 전략이다.

아울러 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 반도체 시장의 차세대 제품 수요를 빠르게 확대 시킨다는 방침이다.

이에 따라 삼성전자는 현재 글로벌 IT 업체들의 공급 요구 수준에 맞춰 경기 평택의 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다. 내년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 프리미엄 D램 제품군을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.

[e-mail] 조지민 기자