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삼성, EUV 적용한 파운드리 7나노 생산

김경민 기자

파이낸셜뉴스

입력 2018.10.18 17:00

수정 2018.10.18 17:00

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또 세계 최초 ‘반도체 초격차’.. 성능·전력효율 동시 높여
기존 생산기술 한계 극복.. 7나노 도입 빨라질 듯
17일(현지시간) 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 주최한 삼성 테크 데이 2018에서 최주선 미주 지역총괄 부사장이 개회사를 하고있다.
17일(현지시간) 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 주최한 삼성 테크 데이 2018에서 최주선 미주 지역총괄 부사장이 개회사를 하고있다.

삼성전자가 차세대 반도체 기술에 대한 초격차 로드맵을 제시했다. 특히 경쟁사보다 먼저 극자외선(EUV) 노광(사진기 원리로 반도체 회로를 웨이퍼에 프린팅) 기술을 적용한 파운드리(위탁생산) 7나노 공정(7LPP)으로 생산에 돌입했다.

삼성전자는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성테크데이 2018'을 개최하고 차세대 반도체 솔루션을 소개했다. '삼성@모든 것의 중심(Samsung@The Heart of Everything)'이라는 주제로 지난해에 이어 두번째로 개최된 이 행사에는 글로벌 정보기술(IT) 업체와 미디어, 애널리스트, 테크 파워블로거 등 500여명이 참석했다.
최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장과 장성진 메모리 D램 개발실 부사장, 경계현 플래시 개발실 부사장, 정재헌 솔루션 개발실 부사장 등 삼성 반도체의 차세대 리더도 한자리에 모였다.

파운드리 사업부는 EUV 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다. 밥 스티어 DS부문 미주총괄 시니어 디렉터는 "7LPP 공정은 삼성전자가 EUV 노광기술을 적용하는 첫번째 파운드리 공정"이라며 "향후 3나노까지 이어지는 공정 미세화를 선도할 수 있는 기반을 확보했다"고 발표했다.

반도체는 제한된 크기 안에 미세한 회로를 새겨 넣으면서 고성능, 저전력 특성이 발전돼 왔다. 반도체 미세공정은 웨이퍼 위에 회로가 새겨진 마스크를 두고 특정 광원을 마스크에 투과시키는 방식으로 이뤄지며, 이를 노광 공정 또는 포토 공정이라고 부른다.

반도체 미세공정이 미세화되면서 노광 공정을 수차례 반복해(멀티 패터닝) 미세한 회로 패턴을 구현해왔다. 하지만 최근 반도체 공정이 10나노 이하로 접어들면서 불화아르곤(ArF)을 사용하는 기존의 노광 공정은 한계에 이르렀다.

EUV는 불화아르곤을 대체할 수 있는 노광 장비의 광원이다. 기존 불화아르곤보다 파장의 길이가 14분의 1 미만에 불과하다. 보다 세밀한 반도체 회로 패턴을 구현하는 데 적합하고, 복잡한 멀티 패터닝 공정을 줄여 반도체의 고성능과 생산성을 동시에 확보할 수 있는 장점이 있다.

다만 EUV는 실제 양산에 적용하기 위해서는 완전히 새로운 방식의 장비 개발과 인프라 구축이 필수다. 삼성전자는 2000년대부터 EUV 기술연구를 시작했다. 장비업체와 에코시스템 파트너와 밀접하게 협력해 기술 안정성 및 생산성 확보를 위한 노력을 지속했다. 그 결과 EUV 노광 공정에 사용되는 마스크의 결함 여부를 조기에 진단할 수 있는 검사 장비를 자체 개발하고, 크기와 무게가 대폭 증가한 EUV 노광 장비를 대량으로 수용할 수 있는 첨단라인을 내년 말 완공을 목표로 화성캠퍼스에 구축 중이다.


삼성전자는 또 미국, 중국, 한국, 일본에 이어 18일(현지 시간) 독일 뮌헨에서 파운드리 포럼을 열고 7나노 공정에 대한 첨단 로드맵을 알렸다. 이 밖에 삼성전자는 △세계최초 256GB 3DS RDIMM △기업용 7.68TB 4비트(QLC) 서버 솔리드스테이트드라이버(SSD) △6세대 V낸드 기술 △2세대 Z-SSD 등의 메모리 제품도 공개했다.
모든 제품이 세계 최초이자 현존하는 업계 최고성능을 자랑한다.

km@fnnews.com 김경민 기자

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